技術(shù)編號(hào)：7007695
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種提高氮化硅基發(fā)光二極管發(fā)光效率的器件及制備方法，屬于半導(dǎo)體發(fā)光器件。該方法的主要步驟為以p-Si作為空穴注入層，在其上淀積超薄非晶硅薄膜；然而在其上淀積氮化硅基薄膜作為發(fā)光有源層；再放入退火爐內(nèi)，先后完成脫氫退火和穩(wěn)態(tài)高溫退火，使得超薄非晶硅薄膜轉(zhuǎn)化為納米硅薄膜；之后，在氮化硅基發(fā)光有源層上淀積留有光學(xué)窗口的AZO透明導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明的主要有益效果是超薄納米硅在器件中作為空穴阻擋層，有效地抑制空穴載流子的過多注入，從而促進(jìn)電子、空穴的平衡注...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。