技術(shù)編號：7009138
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。用堿性溶液織構(gòu)化單晶半導(dǎo)體襯底以在其表面形成錐形結(jié)構(gòu)從而減少入射光反射且提高晶圓的光吸收。堿性浴包含與烷氧基化二醇組合使用的乙內(nèi)酰脲化合物及其衍生物，以抑制錐形結(jié)構(gòu)之間平坦區(qū)域的形成，從而提高光的吸收。專利說明織構(gòu)化單晶半導(dǎo)體襯底以減小入射光反射[0001]本發(fā)明涉及一種在堿性浴中織構(gòu)化單晶半導(dǎo)體襯底以減小入射光反射的方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種在包含與烷氧基化二醇結(jié)合的乙內(nèi)酰脲或乙內(nèi)酰脲衍生物的堿性浴中織構(gòu)化單晶半導(dǎo)體襯底以減小入射光反射的方法。背景技...
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