技術(shù)編號：7009666
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，包括以下步驟第一步一次光刻，定義出芯片P區(qū)、N區(qū)；第二步使用感應(yīng)耦合等離子體刻燭機蝕刻掉N區(qū)外延層；第三步使用電子束蒸發(fā)臺在外延片上蒸鍍ITO透明導(dǎo)電薄膜；第四步二次光刻；第五步對ITO進行500度的退火；第六步三次光刻；第七步蒸鍍Cr/Au金屬電極；第八步制作Si02鈍化膜；第九步四次光刻；第十步Wafer測試；第十一步SiC襯底減薄，芯片切割；該方法能夠在非摻雜的SiC襯底，載流子濃度約為l×1017cm-3的環(huán)境下，制造夠適合制作而TIP...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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