技術(shù)編號(hào)：7011062
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及傳感器，尤其涉及一種X射線(xiàn)傳感器的陣列基板及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)制造X射線(xiàn)傳感器陣列基板時(shí)，需要經(jīng)過(guò)多次掩膜工藝，制作工藝較為復(fù)雜，并且掩膜工藝次數(shù)多，制造成本高，產(chǎn)品的良品率低的問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種X射線(xiàn)傳感器的陣列基板的制造方法，該方法形成薄膜晶體管器件和光電二極管傳感器器件的步驟中，通過(guò)同一次掩膜工藝形成了柵極圖形和歐姆層，省去了現(xiàn)有技術(shù)中溝道阻擋層的掩膜工藝形成過(guò)程，鈍化層替代了溝道阻擋層的作用，防止在后續(xù)工藝對(duì)溝道的影響；...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。