技術(shù)編號：7011079
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。，包括提供硅基襯底，并依次沉積低k值介質(zhì)層、硬掩模薄膜，且在硬掩模薄膜上依次涂布第一旋涂碳薄膜和第一光刻膠；曝光和顯影在第一光刻膠中，并形成第一通孔；在硬掩模薄膜中形成第二通孔；在硬掩模薄膜上依次涂布第二旋涂碳薄膜和第二光刻膠；曝光和顯影在第二光刻膠中，并形成第一金屬槽；在低k值介質(zhì)層中形成通孔和金屬槽；實現(xiàn)導(dǎo)線金屬和通孔金屬填充。本發(fā)明通過使用第一旋涂碳薄膜和第二旋涂碳薄膜，并結(jié)合可形成硬膜之第一光刻膠和第二光刻膠，不僅減少了工藝材料和工藝步驟，提高了光...
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