技術(shù)編號(hào)：7011857
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，屬于半導(dǎo)體封裝。其包括若干層介電層和設(shè)置于介電層內(nèi)的金屬層，每一所述介電層開設(shè)貫穿該介電層的線槽，所述線槽包括介電層橫向線槽和介電層縱向線槽，所述介電層橫向線槽和介電層縱向線槽呈上下分布，所述介電層橫向線槽的深度小于介電層的厚度，所述介電層橫向線槽的尺寸不小于介電層縱向線槽的尺寸，所述線槽內(nèi)設(shè)置所述金屬層，每一所述金屬層與設(shè)置該金屬層的介電層形成于同一層；上述再布線金屬層的介電層的線槽利用激光刻蝕技術(shù)在介電層上形成。本發(fā)明采用先進(jìn)工藝、減少介電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。