技術編號：7011958
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。具有強吸收結(jié)構(gòu)的高速SNSPD及其制備方法，該SNSPD基于高折射率入射介質(zhì)和空氣腔結(jié)構(gòu)，可以進一步提高超導納米線的光子吸收率，與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明用相同材料和厚度的超導超薄膜制成納米線的條件下，用更低的占空比就可以實現(xiàn)接近于100%的吸收率，這使得電子束曝光步驟的難度大大降低，這尤其對于超細納米線的制備來說更為有利，而SOI襯底的采用則可以同時保證超導薄膜的高質(zhì)量生長，不影響探測器的本征量子效率，另外，在保證同樣大的有效探測面積的條件下，由于需要的納米...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權(quán)，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。