技術(shù)編號:7014303
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種,其包括以下步驟在已完成通孔、絕緣層制備、通孔已填充金屬的圓片背面制作具有開口的介質(zhì)層,所述開口對應(yīng)每一個有填充金屬的位置;在開口中電鍍或化鍍填充金屬形成柱體;去除所述具有開口的介質(zhì)層材料,露出金屬柱體;再在背面金屬柱體周邊的間隙中填充聚合物并固化;通過化學(xué)機(jī)械拋光露出填充金屬;最后在金屬柱體位置制作背面焊盤。其優(yōu)點(diǎn)是這樣的制作方法可以大幅提升硅基板的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,提高生產(chǎn)效率,提升產(chǎn)品成品率和良率。該方法同樣也可以用于制作砷化鎵、氮化鎵襯底的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。