技術(shù)編號：7014454
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例公開了一種制造高比容電極薄膜的方法，包括采用LB膜法沉積氧化石墨烯LB膜，并將其還原為還原氧化石墨烯；然后采用電化學(xué)方法在還原氧化石墨烯表面沉積金屬氧化物層；最后采用化學(xué)氣相聚合沉積方法在金屬氧化物上沉積導(dǎo)電聚合物層，從而獲得一種高比容復(fù)合電極薄膜。該方法制備的高比容電極薄膜中，以還原氧化石墨烯為基體，具有較高的比表面積，然后分別沉積金屬氧化物和導(dǎo)電聚合物，使得電極薄膜材料同時(shí)具有雙電層電容和贗電容，從而可以大大增加電極的比容量。專利說明[00...
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