技術編號：7015471
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種半導體器件的制造方法，提供一襯底；在襯底上依次形成半導體層、硅附加層和光刻掩膜層；在硅附加層上部分區(qū)域刻蝕，沿硅（111）晶面形成斜截面，與未被刻蝕的硅（100）晶面構成梯形凹槽，直至暴露出所述半導體層；最后在上述凹槽中沉積金屬形成電極。本發(fā)明的方法制造的半導體器件利用硅附加層所具有的刻蝕過程中各向異性的特點來控制和優(yōu)化電極結構和形狀，可以改善半導體層的電場分布，從而提高器件的擊穿電壓；同時，也可以有效的減小器件的電極尺寸，進一步改善器件的...
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