技術編號：7021594
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及蝕刻含硅物的方法及裝置，特別是涉及適合對于無定形硅等在伴有氧化反應的同時被蝕刻的含硅物來控制蝕刻量的蝕刻方法及裝置。背景技術使用大氣壓附近的等離子體來蝕刻無定形硅等含硅物的裝置眾所周知(參照專利文獻1、2等)。例如，在專利文獻I中，在大氣壓附近下，將在CF4等含氟成分中添加水蒸氣而得的氣體等離子體化。通過等離子體化，從而生成HF、COF2等氟系反應成分。在等離子體化后的氣體中進一步混合臭氧，與被處理物接觸。由此，被覆于被處理物的硅經由以下兩個階段...
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