技術(shù)編號：7035384
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型提供一種新型GaN基LED結(jié)構(gòu)，包括高溫摻雜Mg的p型GaN層，和摻雜Si的n型GaN層，所述摻雜Si的n型GaN層在所述高溫摻雜Mg的p型GaN層之上，還包括高摻雜Mg的p+-GaN層，和高摻雜Si的n+型GaN層，高溫生長p型GaN外延層可以顯著提高其晶體質(zhì)量及其中Mg的活化率以及空穴濃度和遷移率，避免了在量子阱(MQW)有源區(qū)上高溫生長p型GaN外延層對量子阱的破壞；在n+-GaN層中的Si原子可以有效地抑制GaN外延層的點缺陷的形成和發(fā)光...
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