技術(shù)編號：7036512
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括施加步驟，向半導(dǎo)體襯底(11)的表面(11a)施加粒子射線和輻射射線的至少之一，在半導(dǎo)體襯底上鄰近于所述表面(11a)處形成包括柵極絕緣膜(21)和柵極電極(22)的晶體管；以及退火處理步驟，在施加步驟之后，加熱所述半導(dǎo)體襯底(11)從而恢復(fù)包含在所述柵極絕緣膜(21)和柵極電極(22)中的晶體缺陷。此外，制造方法包括預(yù)退火處理步驟，用于在施加步驟前將包含在柵極絕緣膜(21)和柵極電極(22)中的氫分子和水分子的含量減小到預(yù)定...
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