技術(shù)編號：7036719
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文提供了用于改進(jìn)針對工藝腔室中的金屬的選擇性氧化的方法和設(shè)備。在一些實施方式中，氧化設(shè)置在具有由一或多個腔室壁界定的處理空間的工藝腔室中的基板的第一表面的方法可包括將基板暴露于氧化氣體以氧化第一表面；和主動地加熱一或多個腔室壁的至少一個腔室壁以使一或多個腔室壁的溫度升高至至少水的露點的第一溫度，同時暴露基板至氧化氣體。專利說明用于基板的選擇性氧化的方法和設(shè)備 [0001] 本發(fā)明的實施方式大體涉及基板處理。 背景技術(shù) [0002] 在半導(dǎo)體裝置...
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