技術(shù)編號:7037326
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及光電子器件和這種器件的制造方法,具體而言,涉及包括陽極層(21)、設(shè)置在陽極層之上的半導(dǎo)體層(25)和設(shè)置在半導(dǎo)體層之上的陰極層(26)的光電子器件,陽極層包含連接在一起并且通過其間的間隙(211)相互分開的多個(gè)導(dǎo)電軌跡(212),該器件還包含設(shè)置在陽極層與半導(dǎo)體層之間并且延伸跨過所述間隙的第一空穴注入層(23)和一個(gè)或更多個(gè)其它的空穴注入層(24),其中,第一空穴注入層具有比一個(gè)或更多個(gè)其它的空穴注入層的傳導(dǎo)率大的傳導(dǎo)率。專利說明光電子器件...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲(chǔ)備,不適合論文引用。