技術(shù)編號(hào)：7037436
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在此描述用于形成鍺錫層的方法與所得的實(shí)施例。將鍺前驅(qū)物與錫前驅(qū)物提供至腔室，且在基板上形成鍺錫的外延層。鍺錫層選擇性沉積在基板的半導(dǎo)體區(qū)域上，且可包括具有改變的錫與摻雜劑濃度的厚度區(qū)域?？赏ㄟ^(guò)交替地或同步地將鹵化物氣體流入以蝕刻基板表面而選擇性沉積鍺錫層。專(zhuān)利說(shuō)明[0001]發(fā)明背景發(fā)明領(lǐng)域[0002]在此描述的技術(shù)涉及半導(dǎo)體裝置的制造。更詳言之，描述使用四族合金材料而形成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法。[0003]相關(guān)技術(shù)的描述[0004]鍺是用于CMOS晶體管的第...
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