技術(shù)編號：7038968
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了用于將高遷移率應(yīng)變溝道并入到鰭式晶體管(例如，諸如雙柵極、三柵極等的FinFET)中的技術(shù)，其中將應(yīng)力材料包覆到所述鰭狀物的溝道區(qū)域上。在一個示例性實施例中，將硅鍺(SiGe)包覆到硅鰭狀物上以提供要求的應(yīng)力，盡管也可以利用其它鰭狀物和包覆材料。所述技術(shù)與典型的工藝流程兼容，并且包覆沉積可以發(fā)生在工藝流程內(nèi)的多個位置處。在一些情況下，利用在所述溝道中壓縮所述鰭狀物和包覆層的源極/漏極壓力源可以增強(qiáng)來自所述包覆層的內(nèi)部應(yīng)力。在一些情況下，可以提供...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。