技術(shù)編號(hào):7039883
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)一種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu),包括一漏極、一源極、一襯底及一深注入N阱層,還包括電性連接在一起的前柵極和后柵極,前柵極為設(shè)置在漏極和源極間的P型柵極,且前柵極一端和漏極間設(shè)置有多晶硅場(chǎng)板和場(chǎng)氧化層,后柵極為設(shè)置在源極遠(yuǎn)離漏極一側(cè)的P型柵極;前柵極包含有前柵極P注入層,后柵極包含有后柵極P注入層、后柵極P阱層,且該前、后柵極P注入層的結(jié)深遠(yuǎn)深于源極的結(jié)深,后柵極P阱層的結(jié)深深于所述后柵極P注入層。本發(fā)明的一種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)是一種無(wú)需增加任何高壓工藝層次,...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。