技術編號：7040779
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種，依次包括襯底、GaN緩沖層、GaN溝道層、AlN隔離層、本征AlGaN層和AlGaN勢壘層，所述AlGaN勢壘層上間隔依次設有源極、柵極和復合漏極，所述柵極和復合漏極之間、源極和柵極之間還設有線性AlGaN層，柵極與復合漏極之間的線性AlGaN層上設有p-GaN層，p-GaN層上設有基極，柵極位于線性AlGaN層上方的部分還向源極方向形成柵源場板；上述結構的頂層還間隔淀積有鈍化層，鈍化層的間隔內淀積有加厚電極。本發(fā)明兼顧了器件擊穿電壓的提...
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