技術(shù)編號：7040780
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了，自下而上依次包括襯底、GaN緩沖層、GaN溝道層、AlN隔離層、本征AlGaN層和AlGaN勢壘層，所述AlGaN勢壘層上間隔設(shè)有源極、柵極和復合漏極，所述柵極和復合漏極之間還設(shè)有線性AlGaN層，線性AlGaN層上設(shè)有p-GaN層，P-GaN層上設(shè)有基極，上述結(jié)構(gòu)的頂層還間隔淀積有鈍化層，所述鈍化層的間隔內(nèi)淀積有加厚電極。本發(fā)明在器件導通時的導通電阻得到減小，而在截止狀態(tài)時的擊穿電壓得到提高，兼顧了器件擊穿電壓的提高與導通電阻的減小。專利說...
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