技術(shù)編號：7041113
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種鐵電存儲器的鐵電薄膜電容，包括基底層1，上電極層2、上電極緩沖層3、鐵電薄膜層4、下電極緩沖層5、下電極層6、粘結(jié)層7和阻擋層8。其中多取代基的硅雜環(huán)己二烯摻雜到鉛鋯鈦薄膜層中，形成鐵電薄膜層4。專利說明—種鐵電存儲器[0001]本發(fā)明涉及用于鐵電存儲器的鐵電薄膜電容，屬于鐵電薄膜。背景技術(shù)[0002]基于半導(dǎo)體的非易失性存儲器在數(shù)據(jù)存儲和作為轉(zhuǎn)盤存儲器的替代物的方面是有用的。已發(fā)現(xiàn)基于閃存EEPROM單元的存儲器越來越多地用在計算機和消費...
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