技術(shù)編號：7042098
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實施方式涉及。半導(dǎo)體裝置包括第一半導(dǎo)體區(qū)域、第二半導(dǎo)體區(qū)域、第三半導(dǎo)體區(qū)域、第一電極及第二電極。第一半導(dǎo)體區(qū)域具有第一導(dǎo)電型。第一電極與第一半導(dǎo)體區(qū)域肖特基接合。第二半導(dǎo)體區(qū)域具有第二導(dǎo)電型，設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)域與第一電極之間。第三半導(dǎo)體區(qū)域具有第二導(dǎo)電型，設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)域與第一電極之間。第三半導(dǎo)體區(qū)域與第一電極歐姆接合。第三半導(dǎo)體區(qū)域具有第一部分和深度比第一部分淺的第二部分。第三半導(dǎo)體區(qū)域的第一半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)通過第一部分和第二部分構(gòu)成凹凸形狀。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。