技術編號：7042387
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種覆晶式LED芯片的制作方法，包含步驟在襯底上層疊第一導電型半導體層、發(fā)光層和第二導電型半導體層；形成第一電極孔；在第二導電型半導體層的正面覆蓋導電層，并蝕刻第一電極孔的延伸部；在導電層的正面覆蓋反射層，并蝕刻第一電極孔的延伸部；蝕刻反射層，形成多個第二電極孔，第二電極孔圍繞第一電極孔的周圍均勻分布；成型第一電極和第二電極；在發(fā)射層的正面成型第一導電層；在第一導電層的正面成型隔離層；在隔離層上蝕刻第一導電孔和第二導電孔，并在孔中成型導電金屬電...
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