技術編號：7043021
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供的相變存儲器單元的制備方法，采用吸附有金納米顆粒的襯底，以由錫粉末和碲化鍺粉末組成的混合物作為蒸發(fā)源，將上述蒸發(fā)源與襯底置于水平管式爐內(nèi)，在一定的條件下進行化學反應，得到沉積有錫摻雜碲化鍺納米線的襯底，將上述襯底上的錫摻雜碲化鍺納米線遷移至2英寸SiO2/Si表面各個小金屬框的中心處，烘干；再分別采用紫外光刻、磁控濺射技術和剝離技術得到所述相變存儲器單元，即錫摻雜碲化鍺納米線兩端電極器件，上述相變存儲器單元通過對相變材料摻雜錫粉末進行改性，從而提...
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