技術(shù)編號(hào)：7043080
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，用于硅基薄膜電池或銅銦鎵硒CIGS電池的制備過程，均包括有在襯底上鍍第一加工層、刻劃第一溝槽、鍍第二加工層、刻劃第二溝槽、鍍第三加工層和刻劃第三溝槽步驟，其特征在于刻劃時(shí)使A區(qū)的各節(jié)平均寬度a大于總平均寬度d，B區(qū)的各節(jié)平均寬度b小于總平均寬度d，C區(qū)的各節(jié)平均寬度c等于總平均寬度d。本發(fā)明將目前通行的均一刻劃方式改為補(bǔ)償修正刻劃的方式，將邊緣子電池寬度有選擇性地適當(dāng)加寬，而將電池區(qū)域特性好的子電池寬度略微變窄，在不影響電池板整體膜層有效開口...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。