技術(shù)編號(hào)：7043362
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種鉑硅納米線紅外探測(cè)器，所述鉑硅納米線紅外探測(cè)器包括P型外延硅襯底層、鉑硅薄膜光敏層、P型多晶硅蓋帽層、減反射膜層，P型外延硅襯底層、鉑硅薄膜光敏層、P型多晶硅蓋帽層、減反射膜層依次層疊在一起；所述鉑硅薄膜光敏層即為鉑硅納米線；所述鉑硅納米線紅外探測(cè)器的工作模式采用正照方式。本發(fā)明的有益技術(shù)效果是利用鉑硅納米線可增加吸收率，同時(shí)，鉑硅納米線頂端存在極大的邊緣場(chǎng)，產(chǎn)生雪崩倍增效應(yīng)，大幅度提高鉑硅紅外探測(cè)器的量子效率；增加P型多晶硅蓋帽層，可使光生熱空穴的逃...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。