技術(shù)編號：7045914
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種溝槽型功率晶體管組件及其制作方法，特別涉及一種。背景技術(shù)在功率晶體管組件中，漏極與源極間導(dǎo)通電阻RDS(on)的大小與組件的功率消耗成正比，因此降低導(dǎo)通電阻RDS(on)的大小可減少功率晶體管組件所消耗的功率。于導(dǎo)通電阻RDS(on)中，用于耐壓的外延層所造成的電阻值所占的比例為最高。雖然增加外延層中導(dǎo)電物質(zhì)的摻雜濃度可降低外延層的電阻值，但外延層的作用為用于承受高電壓。若增加摻雜濃度會降低外延層的崩潰電壓，因而降低功率晶體管組件的耐壓能力。...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。