技術(shù)編號(hào)：7046187
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，特別是涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的制造方法及其半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。本發(fā)明的制造方法是在所述控制柵極下方形成兩個(gè)橫向的凹槽后，淀積氮化硅薄膜并使氮化硅薄膜填滿所述兩個(gè)橫向的凹槽，然后對(duì)所述氮化硅薄膜進(jìn)行刻蝕以在控制柵極的兩側(cè)形成氮化硅柵極側(cè)墻，并將位于所述兩個(gè)橫向的凹槽內(nèi)的氮化硅薄膜作為假柵用于存儲(chǔ)電荷。本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的制造方法采用自對(duì)準(zhǔn)工藝將控制柵極兩側(cè)的氮化硅薄膜的柵極側(cè)墻和假柵進(jìn)行分割，工藝過程簡(jiǎn)單，易于控制，不僅使得所制造的半導(dǎo)體存...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。