技術(shù)編號(hào):7046718
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種,肖特基二極管依次包括襯底、氮化鎵緩沖層、重?fù)诫sn型氮化鎵層、輕摻雜n型氮化鎵層、重?fù)诫sp型氮化鎵層和電極結(jié)構(gòu),其中重?fù)诫sp型氮化鎵層位于輕摻雜n型氮化鎵層上的部分區(qū)域,形成特定的圖形;襯底和氮化鎵緩沖層的部分區(qū)域進(jìn)行了開孔,露出部分重?fù)诫sn型氮化鎵層;電極結(jié)構(gòu)包括位于輕摻雜n型氮化鎵層上的肖特基電極、位于重?fù)诫sp型氮化鎵層上的第一歐姆電極和位于開孔中并與重?fù)诫sn型氮化鎵層相接觸的第二歐姆電極。本發(fā)明可以使肖特基二極管在保持低開啟電壓的同時(shí)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。