技術(shù)編號：7046720
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種槽柵槽源SOILDMOS器件，包括襯底層、埋氧層、有源半導(dǎo)體層、n+漏區(qū)、槽柵、柵氧層、介質(zhì)埋層、槽源、源電極、柵電極、p阱和漏電極并組成SOILDMOS器件，p阱內(nèi)設(shè)有n+源區(qū)和p+p阱歐姆接觸區(qū)，槽柵和槽源之間通過介質(zhì)埋層隔離；n+源區(qū)的上部與柵氧層、介質(zhì)埋層和槽源相接，p+p阱歐姆接觸區(qū)的上部與槽源相接；p阱的底部與埋氧層相接。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是該槽柵槽源SOILDMOS器件中，縱向槽柵聚集了高電場，提高了器件橫向耐壓；有源半導(dǎo)體層的縱向電場在槽柵的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。