技術編號：7046897
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供一種改善層間介質(zhì)層研磨后返工工藝的方法，用于對層間介質(zhì)層研磨后的半導體襯底進行返工，所述層間介質(zhì)層被過量研磨，所述層間介質(zhì)層具有目標厚度，包括測量所述層間介質(zhì)層的實際厚度；根據(jù)所述層間介質(zhì)層的實際厚度與所述層間介質(zhì)層的目標厚度的差異，獲得補償膜層的厚度，所述補償膜層用于覆蓋所述層間介質(zhì)層的表面；獲得覆蓋膜層的目標厚度，所述覆蓋膜用于覆蓋所述補償膜層的表面；根據(jù)所述補償膜層與所述覆蓋膜層的厚度之和，進行一次沉積工藝，形成所述補償膜層和覆蓋膜層。本發(fā)...
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