技術(shù)編號(hào):7047843
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種能夠進(jìn)行雪崩能量處理的III族氮化物晶體管。一種半導(dǎo)體器件(200),包括帶有過(guò)壓箝位組件(212)的GaN?FET(202),該過(guò)壓箝位組件(212)電耦合到GaN?FET的漏極節(jié)點(diǎn)(204)并且串聯(lián)耦合到電壓降組件(220)。該電壓降組件電耦合到為GaN?FET提供截止?fàn)顟B(tài)偏壓的端子。該過(guò)壓箝位組件當(dāng)在GaN?FET的漏極節(jié)點(diǎn)處的電壓小于GaN?FET的擊穿電壓時(shí)導(dǎo)通微小的電流,并當(dāng)該電壓上升至安全電壓極限以上時(shí)傳導(dǎo)大量的電流。該電壓降組...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。