技術(shù)編號：7049217
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(laterally diffused M0SEFT)及其制造方法。背景技術(shù)LDMOS由于更容易與CMOS工藝兼容而被廣泛采用。與MOS晶體管相比，LDMOS在一些關(guān)鍵器件特性方面，如增益、線性度、開關(guān)性能、散熱性能以及減少級數(shù)等方面具有明顯的優(yōu)勢。因而被廣泛用于高壓功率集成電路中，滿足耐高壓，實現(xiàn)功率控制等方面的要求。為了提高LDMOS擊穿電壓，增大輸出功率，采用了各種各樣的改進(jìn)技...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。