技術(shù)編號：7049897
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種鍍膜方法及應(yīng)用，按以下步驟進行1)襯底以及其晶向的選??；2)使用PLD工藝在襯底上低溫外延一層GaN緩沖層；3)使用MBE工藝外延一層GaN薄膜。本發(fā)明集合PLD和MBE的優(yōu)點，能夠有效抑制Li離子的高溫擴散(襯底的高溫相變)和界面反應(yīng)。利用PLD進行三維生長，獲得大量的納米島，然后在同一生長室內(nèi)利用MBE進行二維生長，抑制穿透位錯的傳播，提高薄膜的晶體質(zhì)量。應(yīng)用鍍膜方法在鎵酸鋰襯底上外延非極性GaN薄膜。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有生長工藝...
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