技術編號：7050770
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種有源區(qū)鍵合兼容高電流的結構。在一個實施例中，該集成電路包括襯底；頂部導電層；一層或多層中間導電層；絕緣材料層和器件。頂部導電層具有至少一個鍵合焊盤和相對堅硬的材料亞層。一層或多層中間導電層形成于頂部導電層和襯底之間。絕緣材料層分離導電層。而且，絕緣層中的一層相對較硬且位于頂部導電層與最接近頂部導電層的中間導電層之間。器件形成在集成電路中。另外，至少最接近于頂部導電層的中間導電層適合于鍵合焊盤下的選擇器件的實用互連。專利說明有源區(qū)鍵合兼谷局電流...
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