技術(shù)編號：7051526
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及。背景技術(shù)近年來，LED以其壽命長、發(fā)光效率高、體積小、堅(jiān)固耐用、顏色豐富等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于顯示屏、背光源、照明等領(lǐng)域。LED器件的的核心是LED外延片，如何在合適的襯底上獲得高質(zhì)量、低缺陷密度的GaN系外延材料薄膜對于提高LED的發(fā)光效率、壽命等是最為關(guān)鍵的因素。然而，由于GaN系外延材料薄膜自身的特性，它與常用的SiC，Al203襯底，尤其是價(jià)格低廉的Si襯底等都有著比較大的晶格失配和熱失配，因此如果在這些襯底上直接外延...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。