技術(shù)編號：7052226
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板的制作方法、TFT陣列基板和顯示面板，該方法中，在覆蓋在所述柵電極圖形之上的第二絕緣層之上采用低溫工藝形成鈍化層。本發(fā)明提供的TFT陣列基板的制作方法中，由于形成的鈍化層相對比較疏松，不易在活化時因為熱脹冷縮而斷裂，從而很好的隔離柵極與源漏極，另一方面，由于低溫下形成的鈍化層相比與高溫下形成的鈍化層含氫量較高，能夠在加氫過程中，更好的對多晶硅層進行加氫，從而獲得更好的電學特性的穩(wěn)定性。專利說明TFT陣列基板的制作方法、TFT陣...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。