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      Led芯片側(cè)壁腐蝕法及其制得的led芯片的制作方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號:7052745

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      本發(fā)明提供了一種LED芯片側(cè)壁腐蝕法及其制得的LED芯片,LED芯片由晶圓切割得到,晶圓包括襯底及生長于襯底頂面上的外延層結(jié)構(gòu),側(cè)壁腐蝕法包括對晶圓依序進行以下腐蝕步驟1)第一側(cè)壁腐蝕裝有100~120℃腐蝕酸的第一側(cè)壁腐蝕槽內(nèi),腐蝕1~2分鐘;2)第二側(cè)壁腐蝕裝有270~290℃腐蝕酸的第二側(cè)壁腐蝕槽內(nèi),腐蝕10~30分鐘;3)第三側(cè)壁腐蝕裝有100~120℃腐蝕酸的第一側(cè)壁腐蝕槽內(nèi),腐蝕1~2分鐘。本發(fā)明提供的側(cè)壁腐蝕法能提高所得LED芯片的亮度20%...
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