技術編號：7059417
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明的實施例涉及。一種半導體器件包括絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)裝置。該IGBT裝置包括發(fā)射極側絕緣柵雙極型晶體管結構的第一構造區(qū)段和發(fā)射極側絕緣柵雙極型晶體管結構的第二構造區(qū)段。第一構造區(qū)段和第二構造區(qū)段被布置在半導體器件的半導體襯底的主表面處。此外，IGBT裝置包括集電極層和漂移層。集電極層被布置在半導體襯底的背面表面處，并且漂移層被布置在集電極層與第一構造區(qū)段和第二構造區(qū)段的發(fā)射極側IGBT結構之間。另外，集電極層至少包括與第二摻雜區(qū)段橫向地鄰近...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。