技術(shù)編號：7059453
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種，包括如下步驟步驟1在襯底上外延生長下分別限制層及量子阱層；步驟2在量子阱層上制作選擇區(qū)域外延介質(zhì)掩膜圖形；步驟3選擇區(qū)域外延生長上分別限制層；步驟4去掉介質(zhì)掩膜圖形；步驟5在上分別限制層上制作光柵，不同掩膜對間距或?qū)挾茸兓芷趦?nèi)的激光器光柵周期不同；步驟6在光柵上生長接觸層，完成制備。本發(fā)明在獲得不同陣列單元不同發(fā)光波長的同時可以保證陣列單元激光器光學性能的一致性。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及光電子器件領(lǐng)域，特別涉及一種利用選擇區(qū)域外延技術(shù)...
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