技術(shù)編號(hào)：7059458
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開一種。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片包括第一圖案區(qū)域，具有至少一個(gè)凹陷部；第二圖案區(qū)域，包圍所述第一圖案區(qū)域。所述第一圖案區(qū)域具有依次層疊于基板上的第一導(dǎo)電型氮化物系半導(dǎo)體層、活性層、第二導(dǎo)電型氮化物系半導(dǎo)體層、上部電極層以及上部凸塊層。所述第二圖案區(qū)域具有層疊于所述基板上的第一導(dǎo)電型氮化物系半導(dǎo)體層、下部電極層以及下部凸塊層。所述第一圖案區(qū)域在與所述下部凸塊層相對(duì)的方向上具有至少一個(gè)陷入突起圖案。專利說明 [0001]本發(fā)明大致涉及一種。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。