技術(shù)編號：7063801
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米技術(shù)研究與存儲(chǔ)，尤其是。 背景技術(shù)量子點(diǎn)接觸意味著兩分立的導(dǎo)電區(qū)域的接觸部分達(dá)到原子尺度，該結(jié)構(gòu)的尺寸范圍小于電子的平均自由程，尺度接近費(fèi)米波長，被廣泛用來研究原子尺度的量子電輸運(yùn)性質(zhì)。實(shí)驗(yàn)已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這種量子點(diǎn)接觸的電導(dǎo)是量子化的，其量子化單位為(i。= (其中 e代表一個(gè)電子的電量，h代表普朗克常數(shù))。這種現(xiàn)象基本與材料的種類無關(guān)，是一種普適現(xiàn)象。對于特殊的材料體系(如部分磁性材料)，在特定的條件下(如磁場下，低溫下) 其電導(dǎo)值可能會(huì)出現(xiàn)基...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。