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      一種三波長鎵氮基半導體激光芯片結(jié)構(gòu)的制作方法技術資料下載

      技術編號:7064991

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      本發(fā)明的三波長鎵氮基半導體激光芯片結(jié)構(gòu),屬于激光技術應用領域,其與傳統(tǒng)的只能發(fā)射單一波長激光的芯片結(jié)構(gòu)相比,能夠同時發(fā)射三種波長激光。本發(fā)明的三波長鎵氮基半導體激光芯片結(jié)構(gòu)采用重復生長外延層的方法,在藍寶石基底材料上生長一層外延層后,再累積生長兩層同結(jié)構(gòu)不同組分的外延層,然后通過光刻、腐蝕等方法,使一個芯片同時具有三個不同組分的有源區(qū),成為可以同時發(fā)射出三種不同波長光的激光器,并且三種波長光的電極相互獨立,可單獨調(diào)節(jié)電流大小。本發(fā)明使以藍寶石為基底的激光器...
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