技術(shù)編號(hào)：7067079
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及異徑襯底用附屬件、襯底處理裝置及襯底或半導(dǎo)體器件的制造方法，該異徑襯底用附屬件用于能夠在一個(gè)襯底收納器(晶籃)中存儲(chǔ)直徑尺寸不同的襯底。/背景技術(shù)碳化硅(SiC)因其絕緣耐壓和熱傳導(dǎo)性與硅(Si)高，所以尤其作為功率器件用元件材料而被關(guān)注。但另一方面，公知SiC因?yàn)椴患兾飻U(kuò)散系數(shù)小等原因，與Si相比其結(jié)晶襯底和半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體器件)的制造是不容易的。例如，與Si的外延成膜溫度為900°C 1200°C程度相比，SiC的外延成膜溫度為1500°C...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。