技術(shù)編號(hào)：7079202
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于太陽電池，特別涉及晶體硅太陽電池前表面具有減反射和鈍化功能的薄膜的制備方法。背景技術(shù)提升轉(zhuǎn)換效率以及降低制作成本一直是太陽電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向，對于晶體硅太陽電池而言，降低硅片表面復(fù)合速率可以有效地提升硅片電學(xué)性能；同時(shí)可以在電池表面制作陷光結(jié)構(gòu)，減少入射光的反射。由于晶體硅的表面并不是理想的晶格周期性結(jié)構(gòu)，存在許多表面懸掛鍵，會(huì)增加硅片的表面復(fù)合速率，降低電池的短路電流密度。因此，需要在電池表面沉積一層鈍化膜， 以飽和表面懸掛鍵，降低表面態(tài)密度。...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。