技術(shù)編號：7084237
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型公開一種溝槽式肖特基半導(dǎo)體器件，其導(dǎo)電多晶硅體嵌入所述柵溝槽內(nèi)，位于導(dǎo)電多晶硅體中下部的多晶硅中下部位于柵溝槽內(nèi)且與外延層之間設(shè)有第一二氧化硅氧化層；位于所述單晶硅凸臺內(nèi)并在溝槽四周側(cè)表面具有第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)，此第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)頂部與外延層上表面之間具有重摻雜第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)，相鄰肖特基勢壘二極管單胞各自的第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)之間且位于具有第一導(dǎo)電類型的外延分層，此外延分層深度小于所述第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)深度，此外延分層位于外延層上部且外延分層...
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