技術(shù)編號(hào)：7087045
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體照明，特別是指用來一種背景技術(shù)氮化鎵材料是第三代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3. 4ev,由于它的性質(zhì)穩(wěn)定，又是波長位于藍(lán)紫光的直接帶隙發(fā)光材料，因此是制造藍(lán)紫光發(fā)光二極管(LED)，高遷移率晶體管的材料，國家半導(dǎo)體照明把氮化鎵材料列為中心。目前氮化鎵發(fā)光二極管材料生長采用的是異質(zhì)外延結(jié)構(gòu)，即氮化鎵薄膜材料生長在異質(zhì)襯底上，例如硅、藍(lán)寶石等。但是這種異質(zhì)外延的方式由于襯底材料和氮化鎵材料的晶格不匹配，而導(dǎo)致大量的缺陷存在，從而降低氮化鎵材料的材料...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。