技術(shù)編號(hào)：7093602
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制備具有張應(yīng)變的絕緣體上鍺(GOI)薄膜的方法，尤其是涉及一種與硅傳統(tǒng)工藝相兼容，在絕緣體上硅(SOI)襯底上外延鍺硅(SiGe)合金薄膜，刻蝕出臺(tái)面圖形，在周圍淀積介質(zhì)薄膜作為保護(hù)區(qū)，然后選擇性氧化圖形區(qū)域的SiGe，制備具有張應(yīng)變的GOI薄膜的方法。背景技術(shù)鍺材料具有高的載流子遷移率，有可能成為未來(lái)微納特征尺寸集成電路金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MOSFET)器件的溝道材料。在鍺中引入應(yīng)變，將進(jìn)一步提高其載流子遷移率，獲得高性能的應(yīng)變Ge MO...
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