技術(shù)編號：7103478
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁存儲領(lǐng)域。背景技術(shù)磁存儲器，特別地磁隨機(jī)存取存儲器(MRAM)由于其高的讀/寫速度、良好的耐久性、非易失性和操作期間低的功耗等潛力而引起日益增大的興趣。MRAM能夠利用磁性材料作為信息記錄介質(zhì)來存儲信息。一種類型的MRAM是自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩隨機(jī)存取存儲器(STT-RAM)。STT-RAM使用通過驅(qū)動經(jīng)過磁性結(jié)的電流被至少部分寫入的磁性結(jié)。驅(qū)動經(jīng)過磁性結(jié)的自旋極化電流對磁性結(jié)中的磁矩施加自旋轉(zhuǎn)矩。結(jié)果，具有響應(yīng)于自旋轉(zhuǎn)矩的磁矩的層可以被切換到期望的狀...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。