技術(shù)編號：7103684
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù)半導(dǎo)體技術(shù)繼續(xù)向更小的部件尺寸發(fā)展，例如，部件尺寸降低為28納米、20納米、以及更低。用于生產(chǎn)如此小的部件尺寸的經(jīng)圖案化的光刻膠(PR)層通常具有高縱橫比?；诟鞣N理由，包括不能縮減最小面積、退化的溝槽端部分辨率、和銳溝槽端部形狀不適合金屬填充工藝，很難能夠維持所期望的臨界尺寸(⑶)。因此，亟需用于提供解決上述問題的先進IC技術(shù)的有效IC設(shè)計和制造的方法和光掩模結(jié)構(gòu)。發(fā)明內(nèi)容 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在...
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